封裝直接影響著芯片的電性能、機械性能、熱性能、可靠性,決定著整機電子係統的性能、小型化、可靠性和成本。

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在這裏封裝實現了三大功能:1、保護:避免芯片受到外界環境化學的或物理的傷害;2、互聯:引入電源給芯片供電,實現係統間信號互聯;3、散熱:將芯片的產生的熱量散發到外界環境。  

一、SiP封裝工藝介紹 

SiP封裝工藝,是以一定的工序,在封裝基板上,實現阻容感、芯片等器件的組裝互連,並把芯片包封保護起來的加工過程。在這個過程中哔咔漫画官网版下载可以粗略的劃分為以下工序(製程)。

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二、SiP封裝工藝中的Wafer Grinding(晶圓研磨)工序 

為保持一定的可操持性,Foundry出來的圓厚度一般在700um左右。封測廠必須將其研磨減薄,才適用於切割、組裝,一般需要研磨到200um左右。其中晶圓研磨主要可分為下麵三個步驟:Taping(貼膜) → Back Grinding(背麵研磨) → Detaping(去膜)。 1、Taping(貼膜):在晶圓的正麵(Active Area)貼上一層保護膜,保護芯片電路區域在研磨時不被刮傷,如下圖所示。 2、Back Grinding(背麵研磨):將貼膜後的晶圓放在真空吸盤上,真空吸盤其旋轉。研磨砂輪轉動的同時對晶圓施壓,將其研磨到最終需要的厚度,如下圖所示。 3、Detaping(去膜):晶圓研磨後,將保護膜經紫外光照射後剝離。

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三、SiP封裝工藝中的Dicing(晶圓切割)工序 

晶圓切割流程主要有兩個步驟:Wafer Mounting (晶圓貼片)→ Die Singulation(芯片切單)。 1、Wafer Mounting(晶圓貼片):貼膜的主要作用是防止芯片在切割時散落,另外也方便後續Die Attche工序拾取芯片。 2、Dicing芯片切割):芯片切割又叫劃片,目前主要有兩種方式:刀片切割和激光切割。當Wafer切割後,所有的芯片分離開後,將其放入晶圓框架盒中,流去下一工序。

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